Numéro
J. Phys. I France
Volume 1, Numéro 1, January 1991
Page(s) 97 - 111
DOI https://doi.org/10.1051/jp1:1991117
DOI: 10.1051/jp1:1991117
J. Phys. I France 1 (1991) 97-111

Sur l'origine des inhomogénéités de taille et de concentration des boucles de dislocation créées par irradiation électronique dans le CdTe

A. M. Gué1, M. Djafari-Rouhani2, D. Estève1 and H. Idrissi-Saba1

1  L.A.A.S., 7 av. du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
2  L.P.S., Université P. Sabatier, 118 Rte de Narbonne, 31062 Toulouse Cedex, France


(Reçu le 22 mars 1990, révisé le 18 juillet 1990, accepté le 20 september 1990)

Abstract
The chemical reaction rate theory has been developed in order to describe the dynamics of electron irradiation damage in CdTe. The surface effects have been taken into account through the diffusion of interstitials towards the surfaces. This model shows that, due to the surface effects, interstitial, vacancy and dislocation loop concentrations exhibit a gradient normal to the foil. For the same reason, the loop size is distributed around a mean value. The interstitial recombination rate on dislocation loops has been calculated and it has been shown that interstitial diffusion towards the loops is likely to occur. As a consequence, a density gradient is generated around the loop and modifies the growth dynamics.

Résumé
La théorie de la cinétique chimique est reprise et développée en écrivant la diffusion des interstitiels vers les surfaces et leur recombinaison sur celles-ci. Les résultats obtenus par cette modélisation montrent que les effets des surfaces sont à l'origine des gradients de concentration en interstitiels libres, lacunes et boucles de dislocation dans la lame ainsi que de la large distribution en taille de ces dernières. Après calcul de la vitesse de recombinaison des interstitiels sur les boucles de dislocation, il est montré qu'un flux diffusionnel d'interstitiels peut s'établir localement vers les boucles de dislocation et qu'un gradient en concentration de lacunes et interstitiels est ainsi engendré autour des défauts étendus, modifiant sensiblement leur dynamique de croissance.



© Les Editions de Physique 1991

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