Numéro
J. Phys. I France
Volume 1, Numéro 3, March 1991
Page(s) 317 - 321
DOI https://doi.org/10.1051/jp1:1991107
DOI: 10.1051/jp1:1991107
J. Phys. I France 1 (1991) 317-321

Splitting of donor-acceptor ground state in zink-blende type semiconductors

C. Benoit à la Guillaume

Groupe de Physique des Solides, Tour 23, Université Paris VII et Paris VI, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France


(Received 30 October 1990, accepted in final form 21 December 1990)

Abstract
The Coulomb perturbation of a neutral donor on the nearest neutral acceptor gives rise to a splitting in zinc-blende type semiconductors. Good agreement of experimental data with the model is found in CdTe and GaAs. Possible reasons of discrepancy found in ZnSe and GaP are discussed.

Résumé
La perturbation coulombienne exercée par un donneur neutre sur l'accepteur neutre le plus proche produit un dédoublement de l'état de base de la paire dans les semiconducteurs de type blende. Un bon accord entre le modèle et les données expérimentales est obtenu pour CdTe et GaAs. On discute les facteurs possibles de désaccord dans ZnSe et GaP



© Les Editions de Physique 1991

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