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Citations de cet article :

Strong Visible Photoluminescence in Silicon Nitride thin Films Deposited at High Rates

Sadanand V. Deshpande, Erdogan Gulari, Steven W. Brown and S.C. Rand
MRS Proceedings 325 177 (1993)
DOI: 10.1557/PROC-325-177
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Photoluminescence in Nitrogen-Rich a-SiNx:H

D. Chen, J.M. Viner, P.C. Taylor and J. Kanicki
MRS Proceedings 258 661 (1992)
DOI: 10.1557/PROC-258-661
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Auger mechanism of exoelectron emission in dielectrics with high electron affinity

M. Molotskii, M. Naich and G. Rosenman
Journal of Applied Physics 94 (7) 4652 (2003)
DOI: 10.1063/1.1608471
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Exoelectron emission spectroscopy of silicon nitride thin films

G. Rosenman, M. Naich, M. Molotskii, Yu. Dechtiar and V. Noskov
Applied Physics Letters 80 (15) 2743 (2002)
DOI: 10.1063/1.1469656
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Profiling of deep traps in silicon oxide–nitride–oxide structures

M. Naich, G. Rosenman and Ya. Roizin
Thin Solid Films 471 (1-2) 166 (2005)
DOI: 10.1016/j.tsf.2004.06.147
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Electroluminescence emission of crystalline silicon nanoclusters grown at a low temperature

Tai-Cheng Tsai, Li-Zhen Yu and Ching-Ting Lee
Nanotechnology 18 (27) 275707 (2007)
DOI: 10.1088/0957-4484/18/27/275707
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Exoelectron emission studies of trap spectrum in ultrathin amorphous Si3N4 films

M. Naich, G. Rosenman, Ya. Roizin and M. Molotskii
Solid-State Electronics 48 (3) 477 (2004)
DOI: 10.1016/j.sse.2003.08.008
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Combined AFM and confocal fluorescence microscope for applications in bio-nanotechnology

R. KASSIES, K. O. VAN DER WERF, A. LENFERINK, et al.
Journal of Microscopy 217 (1) 109 (2005)
DOI: 10.1111/j.0022-2720.2005.01428.x
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