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Citations de cet article :

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D. E. Onopko and A. I. Ryskin
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High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches

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Low Temperature Physics 43 (1) 110 (2017)
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Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: Transition from Coulomb blockade to weak localization regime

N. T. Bagraev, E. I. Chaikina, E. Yu. Danilovskii, et al.
Semiconductors 50 (4) 466 (2016)
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Field-dependent negative-U properties for zinc-related centre in silicon

N.T. Bagraev
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Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches

N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, et al.
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Analysis of defect energy levels in the limit of low emission rates

C. D. Lamp, S. Yang and S. Gangopadhyay
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Metastable Zn-related centres in silicon

N T Bagraev
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Chemical bonding and structure of metastable impurity centers in semiconductor crystals

D. E. Onopko and A. I. Ryskin
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DOI: 10.1007/BF02683931
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