Mécanismes de croissance des faces {001} exactes et désorientées de GaAs par la méthode aux chlorures sous H2 : diffusion superficielle, croissance par spirale, mécanismes de désorption HCl et GaCl3
et
J. Phys. I France, 7 7 (1997) 889-907
DOI: 10.1051/jp1:1997208