Numéro
J. Phys. I France
Volume 1, Numéro 5, May 1991
Page(s) 779 - 787
DOI https://doi.org/10.1051/jp1:1991169
DOI: 10.1051/jp1:1991169
J. Phys. I France 1 (1991) 779-787

Transport mechanisms in $\mathsf{MoTe_{2-x}}$ single crystals

A. Bonnet1, A. Conan1, Y. Tregouet1, M. Zoaeter2 and M. Morsli2

1  Laboratoire de Physique Cristalline, I.P.C.M., 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France
2  Laboratoire de Physique des Matériaux et Composants de l'Electronique, Faculté des Sciences et des Techniques, Université de Nantes, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France


(Received 4 October 1990, revised 14 January 1991, accepted 25 January 1991)

Abstract
Transport coefficient measurements (electrical conductivity, thermoelectric power, Hall effect) have been performed on single crystals of MoTe 2-x (x= 0.040 and 0.045). Experimental results are interpreted on the basis of a compensated p-type semiconductor model where donor and acceptor lacunar levels broaden in two energy bands. At low temperatures, the conduction mechanisms are mainly governed by a thermal hopping of carriers in these bands. At higher temperatures, the contribution of the extended states must be taken into account. MoTe 1,960 and MoTe 1,955 exhibit a quasi metallic behaviour which reflects the high delocalization of the electronic states in the broadened levels.

Résumé
Les mesures des coefficients de transport (conductivité électrique, pouvoir thermoélectrique, effet Hall ont été effectuées sur des monocristaux de dans une gamme étendue de température. Les résultats expérimentaux sont interprétés sur la base d'un modèle de semi-conducteur compensé de type p à niveaux élargis d'origine lacunaire. A basse température les mécanismes de conduction sont principalement gouvernés par des sauts activés thermiquement des porteurs dans le niveau accepteur élargi. A plus haute température, la contribution des états étendus doit être prise en compte. MoTe 1,960 et MoTe 1,955 présentent un comportement de type quasi métallique associé à la délocalisation élevée des états électroniques dans les niveaux élargis.



© Les Editions de Physique 1991

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