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Numéro
J. Phys. I France
Volume 1, Numéro 7, July 1991
Page(s) 1063 - 1071
DOI https://doi.org/10.1051/jp1:1991190
DOI: 10.1051/jp1:1991190
J. Phys. I France 1 (1991) 1063-1071

Croissance par jet moléculaire des semi-conducteurs V 2VI 3 sur subtrat amorphe

André Boyer1, Etienne Charles1 and Jean-Claude Tedenac2

1  C.E.M. U.A. 391 C.N.R.S., U.S.T.L., Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 05, France
2  Laboratoire de Physico-Chimie des matériaux U.R.A. D0407 C.N.R.S., U.S.T.L., Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 05, France


(Reçu le 10 décembre 1990, révisé le 7 mars 1991, accepté le 13 mars 1991)

Abstract
The conditions for producing narrow-bandgap semi-conductors using Bi 2Te 3, Bi 2Se 3 and Sb 2Te 3 deposited by molecular jet on amorphous substrate are defined. The sticking coefficients of the elements Bi, Te, Se and Sb are evaluated as a function of $T_{\rm s}$. The range of substrate temperatures $[T_{\rm s}(\max)-T_{\rm s}(\min)]$ in which the three semi-conductors are stoichiometric are determined. The lowest temperature $T_{\rm s}(\min)$ corresponds to the amorphous-polycrystalline transition for Bi 2Se 3 and for Sb 2Te 3. The highest temperature $T_{\rm s}(\max)$ is fixed by the partial pressure of BiTe/Bi 2Te 3 for Bi 2Te 3 and the one of BiSe/Bi 2Se 3 for Bi 2Se 3.

Résumé
Les conditions de croissance des semi-conducteurs à faible bande interdite : Bi 2Te 3, Bi 2Se 3 et Sb 2Te 3 par la technique des jets moléculaires sur substrat amorphe sont définies. Les coefficients de collage des différents élémenets Bi, Te, Se, Sb sont donnés en fonction de la température de substrat $T_{\rm s}$. Pour chaque semi-conducteur on met en évidence un intervalle de température $[T_{\rm s}(\max)-T_{\rm s}(\min)]$ pour lequel la stoechiométrie est vérifiée. La température inférieure $T_{\rm s}(\min)$ correspond au passage amorphe-polycristallin pour Bi 2Se 3 et pour Sb 2Te 3. La température la plus élevée $T_{\rm s}(\max)$ est fixée par la pression partielle de BiTe/Bi 2Te 3 pour Bi 2Te 3 et celle de BiSe/Bi 2Se 3 pour Bi 2Se 3.



© Les Editions de Physique 1991