Numéro |
J. Phys. I France
Volume 6, Numéro 3, March 1996
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Page(s) | 403 - 412 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp1:1996165 |
J. Phys. I France 6 (1996) 403-412
Possible Generation of Transient THz Electronic Drift Effects in a Semiconductor by a High Electric Field
V.M. Filip and C.N. PlavituUniversity of Bucharest, Faculty of Physics, P.O. Box MG-11 Bucharest - Magurele 76900, Romania
(Received 9 December 1995, revised 11 September, accepted 27 November 1995)
Abstract
Using the Boltzmann equation formalism for a simple semiconductor model, the transient drift velocity of the electrons is
computed when a high uniform electric field is suddenly turned on. Rapid oscillations superimposed on an overshoot behaviour
are obtained. It is showed that this behaviour results from the combined action of the field and of the electron-phonon interaction.
Résumé
En utilisant le formalisme de l'équation de Boltzmann pour un modèle simple de semiconducteur, on a calculé la vitesse de
"drift" transitoire des électrons quand le système est soumis à l'action brusque d'un champ électrique fort et uniforme. On
a obtenu des oscillations rapides superposées à une évolution du type "overshoot" et on a démontré qu'elles résultent de l'action
combinée du champ extérieur et des interactions électron-phonon.
© Les Editions de Physique 1996