Possible Generation of Transient THz Electronic Drift Effects in a Semiconductor by a High Electric Field

Abstract
Using the Boltzmann equation formalism for a simple semiconductor model, the transient drift velocity of the electrons is computed when a high uniform electric field is suddenly turned on. Rapid oscillations superimposed on an overshoot behaviour are obtained. It is showed that this behaviour results from the combined action of the field and of the electron-phonon interaction.

Résumé
En utilisant le formalisme de l'équation de Boltzmann pour un modèle simple de semiconducteur, on a calculé la vitesse de "drift" transitoire des électrons quand le système est soumis à l'action brusque d'un champ électrique fort et uniforme. On a obtenu des oscillations rapides superposées à une évolution du type "overshoot" et on a démontré qu'elles résultent de l'action combinée du champ extérieur et des interactions électron-phonon.