Numéro
J. Phys. I France
Volume 5, Numéro 10, October 1995
Page(s) 1311 - 1316
DOI https://doi.org/10.1051/jp1:1995199
DOI: 10.1051/jp1:1995199
J. Phys. I France 5 (1995) 1311-1316

Section efficace de photoionisation dans les semiconducteurs Polaires

I. Zorkani1, Y. El Hasnaoui1, Y. Lepine2 and E. Kartheuser3

1  Département de Physique, Faculté des Sciences Dhar Mehraz, B.P1796, Atlas, Fès - Maroc
2  Université de Montreal, CP 6128, SucA, P.Q.H3C3J7 Quebec - Canada
3  Institut de Physique, Université de Liège, Sart - Tilman B5-4000, Belgique


(Reçu le 8 février 1995, révisé le 7 juin 1995, accepté le 19 juin 1995)

Abstract
Theoretical expression for the photoionization cross section of semi-deep level impurity is developed as a function of photon energy. In this model we take account to the interaction between the charge carriers and the longitudinal optical phonons of polar semiconductors and the influence of central-cell correction by means of a semi-empirical short range potential. The results obtained are compared with reported experimental and theoretical results.

Résumé
Des expressions théoriques de la section efficace de photoionisation sont developpées pour les états d'impuretés semi-profonds en fonction de l'énergie du photon. Dans ce modèle, nous tenons compte de l'interaction porteur de charge-phonon ainsi que de la correction de cellule centrale par le moyen d'un modèle analytique du potentiel de l'impureté. Les résultats obtenus sont comparés avec les données expérimentales et théoriques.



© Les Editions de Physique 1995

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