Numéro
J. Phys. I France
Volume 3, Numéro 11, November 1993
Page(s) 2311 - 2320
DOI https://doi.org/10.1051/jp1:1993247
DOI: 10.1051/jp1:1993247
J. Phys. I France 3 (1993) 2311-2320

Conductance statistics in small GaAs:Si wires at low temperatures. I. Theoretical analysis: truncated quantum fluctuations in insulating wires

François Ladieu and Jean-Philippe Bouchaud

Service de Physique de l'Etat Condensé, CEA-Saclay, 91191 Gif/Yvette Cedex, France


(Received 20 April 1993, received in final form 5 July 1993, accepted 13 July 1993)

Abstract
We anajyse in detail Mott's variable range hopping in one dimension, expanding on earlier work by Raikh and Ruzin. We show that the large conductance fluctuations in disordered insulators result from a subtle interplay between purely quantum phenomena and geometrical fluctuations arising from the energies and locations of the impurities. Our results compare very well with both experiments and numerical simulations.

Résumé
Nous analysons en détail le régime de saut à portée variable de Mott à une dimension, allant au delà d'un travail précédent dû à Raihk et Ruzin. Nous montrons que les très grandes fluctuations de conductance dans les isolants désordonnés résultent d'une combinaison subtile entre des phénomènes purement quantiques et des fluctuations géométriques dues aux positions et aux énergies des impuretés. Nos résultats se comparent très favorablement à la fois à des résultats expérimentaux et à des simulations numériques.



© Les Editions de Physique 1993

Current usage metrics show cumulative count of Article Views (full-text article views including HTML views, PDF and ePub downloads, according to the available data) and Abstracts Views on Vision4Press platform.

Data correspond to usage on the plateform after 2015. The current usage metrics is available 48-96 hours after online publication and is updated daily on week days.

Initial download of the metrics may take a while.