Numéro |
J. Phys. I France
Volume 3, Numéro 11, November 1993
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Page(s) | 2311 - 2320 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp1:1993247 |
J. Phys. I France 3 (1993) 2311-2320
Conductance statistics in small GaAs:Si wires at low temperatures. I. Theoretical analysis: truncated quantum fluctuations in insulating wires
François Ladieu and Jean-Philippe BouchaudService de Physique de l'Etat Condensé, CEA-Saclay, 91191 Gif/Yvette Cedex, France
(Received 20 April 1993, received in final form 5 July 1993, accepted 13 July 1993)
Abstract
We anajyse in detail Mott's variable range hopping in one dimension, expanding on earlier work by Raikh and Ruzin. We show
that the large conductance fluctuations in disordered insulators result from a subtle interplay between purely quantum phenomena
and geometrical fluctuations arising from the energies and locations of the impurities. Our results compare very well with
both experiments and numerical simulations.
Résumé
Nous analysons en détail le régime de saut à portée variable de Mott à une dimension, allant au delà d'un travail précédent
dû à Raihk et Ruzin. Nous montrons que les très grandes fluctuations de conductance dans les isolants désordonnés résultent
d'une combinaison subtile entre des phénomènes purement quantiques et des fluctuations géométriques dues aux positions et
aux énergies des impuretés. Nos résultats se comparent très favorablement à la fois à des résultats expérimentaux et à des
simulations numériques.
© Les Editions de Physique 1993